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電子產品可靠性測試包括哪些?

返回列表 來源:劍喬儀(yi)器 瀏覽: 120 發(fa)布日(ri)期:2021-04-01

一(yi)般來說為了評價分(fen)析電子產(chan)品可(ke)靠(kao)性(xing)而進行的(de)試(shi)驗(yan)稱(cheng)為可(ke)靠(kao)性(xing)試(shi)驗(yan),是為預測從產(chan)品出廠到(dao)其使用壽命結束期(qi)間(jian)的(de)質量情(qing)況,選定(ding)與市場環境(jing)(jing)(jing)相(xiang)似度較(jiao)高的(de)環境(jing)(jing)(jing)應(ying)力(li)后(hou),設定(ding)環境(jing)(jing)(jing)應(ying)力(li)程度與施加的(de)時間(jian),主(zhu)要目的(de)是盡(jin)可(ke)能在短(duan)時間(jian)內,正確評估產(chan)品可(ke)靠(kao)性(xing)。

產品(pin)(pin)設計成(cheng)型后,必須對產品(pin)(pin)進行(xing)可(ke)(ke)(ke)靠(kao)(kao)性試(shi)驗(yan),產品(pin)(pin)可(ke)(ke)(ke)靠(kao)(kao)性試(shi)驗(yan)是(shi)激發潛在失效模式,提出改進措施,確(que)定項目或(huo)系(xi)統是(shi)否(fou)滿足(zu)預先制定的(de)可(ke)(ke)(ke)靠(kao)(kao)性要求(qiu)的(de)必須步驟。可(ke)(ke)(ke)靠(kao)(kao)性試(shi)驗(yan)的(de)基本原理如圖。

  

可(ke)靠性(xing)試驗是(shi)(shi)為(wei)了確(que)定已通過可(ke)靠性(xing)鑒定試驗而轉入批量(liang)生(sheng)(sheng)產的(de)(de)產品在規(gui)定的(de)(de)條(tiao)件下(xia)是(shi)(shi)否達(da)到規(gui)定可(ke)靠性(xing)要求,驗證產品的(de)(de)可(ke)靠性(xing)是(shi)(shi)否隨批量(liang)生(sheng)(sheng)產期間工(gong)(gong)藝,工(gong)(gong)裝,工(gong)(gong)作流程,零部件質量(liang)等因素的(de)(de)變化而降(jiang)低。只有經過這些(xie),產品性(xing)能才(cai)是(shi)(shi)可(ke)以信任的(de)(de),產品的(de)(de)質量(liang)才(cai)是(shi)(shi)過硬的(de)(de)。

 

電子產品可靠性試驗目的通常有如下幾方面:

1、在研制階段用以暴露(lu)試制產品(pin)各方面的缺陷,評價(jia)產品(pin)可(ke)靠性(xing)達到預定指標(biao)的情況;

2、生產(chan)階段(duan)為(wei)監控生產(chan)過程提(ti)供(gong)信息;

3、對定(ding)型產品(pin)進行可靠性鑒定(ding)或驗(yan)收;

4、暴(bao)露(lu)和(he)(he)分析(xi)產品在(zai)不同環境和(he)(he)應力條件下(xia)的失(shi)(shi)效規律及有關的失(shi)(shi)效模式和(he)(he)失(shi)(shi)效機理;

5、為改進產(chan)品可(ke)靠性(xing),制定和改進可(ke)靠性(xing)試驗方案,為用戶選用產(chan)品提供依(yi)據。

 

電子產品可靠性試驗的方法及分類

一、如以(yi)環境條件來(lai)劃(hua)分,可(ke)分為包括各種應力條件下的模擬試驗和(he)現場試驗;

二(er)、以(yi)試驗(yan)(yan)項目劃分,可分為環(huan)境(jing)試驗(yan)(yan)、壽命試驗(yan)(yan)、加速(su)試驗(yan)(yan)和各種特殊試驗(yan)(yan);

三、若按試驗目的(de)來(lai)劃分(fen),則可分(fen)為篩選試驗、鑒定試驗和驗收(shou)試驗;

四、若按試(shi)驗性(xing)質(zhi)來(lai)劃分,也(ye)可分為(wei)破壞性(xing)試(shi)驗和非破壞性(xing)試(shi)驗兩大類。

 

通常慣用的分類法,是把可靠性試驗歸納為五大類:

A.環境試驗(yan)B.壽命試驗(yan)C.篩選試驗(yan)D.現場使用試驗(yan)E.鑒定試驗(yan)

)、氣候環境試(shi)驗(yan)

部分可靠性專著把樣品(pin)置(zhi)于自然或(huo)人工(gong)模擬(ni)的(de)儲存、運輸和(he)工(gong)作環(huan)(huan)境(jing)(jing)中的(de)試驗(yan)統稱為環(huan)(huan)境(jing)(jing)試驗(yan),是考核產(chan)品(pin)在各種環(huan)(huan)境(jing)(jing)(振動(dong)、沖(chong)擊(ji)(ji)、離心、溫(wen)度(du)、熱沖(chong)擊(ji)(ji)、潮(chao)熱、鹽霧、低氣壓(ya)等)條件下的(de)適(shi)應能(neng)力,是評價產(chan)品(pin)可靠性的(de)重要試驗(yan)方法(fa)之(zhi)一(yi)。一(yi)般(ban)主要有以下幾種:

  • 1、穩定性烘培,即高溫存儲試驗

試(shi)驗目的(de):考核在不(bu)施加(jia)電(dian)應力(li)的(de)情況下,高溫存儲對(dui)產品(pin)(pin)(pin)的(de)影響。有(you)嚴重(zhong)缺陷的(de)產品(pin)(pin)(pin)處(chu)于非(fei)平衡態,是一種(zhong)不(bu)穩(wen)(wen)定(ding)態,由非(fei)平衡態向平衡態的(de)過渡(du)過程既是誘發(fa)有(you)嚴重(zhong)缺陷產品(pin)(pin)(pin)失效的(de)過程,也是促使產品(pin)(pin)(pin)從(cong)非(fei)穩(wen)(wen)定(ding)態向穩(wen)(wen)定(ding)態的(de)過渡(du)過程。

這(zhe)種(zhong)過(guo)渡一般情況下(xia)是物理化學變化,其速率(lv)遵循阿倫(lun)尼烏斯(si)公式,隨(sui)溫度成指數增加.高溫應(ying)力(li)的(de)目(mu)的(de)是為了縮(suo)短這(zhe)種(zhong)變化的(de)時間(jian).所以該實(shi)驗又可以視為一項(xiang)穩定產品性能的(de)工藝(yi)。

 

試(shi)(shi)驗(yan)(yan)條件:一般選定(ding)一恒定(ding)的(de)溫(wen)(wen)度(du)應力和保持時(shi)間。微(wei)電路溫(wen)(wen)度(du)應力范圍(wei)為75℃至(zhi)400℃,試(shi)(shi)驗(yan)(yan)時(shi)間為24h以上。試(shi)(shi)驗(yan)(yan)前(qian)后被試(shi)(shi)樣品要在標準試(shi)(shi)驗(yan)(yan)環境中,既(ji)溫(wen)(wen)度(du)為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的(de)環境中放置(zhi)一定(ding)時(shi)間。多數(shu)的(de)情況(kuang)下,要求試(shi)(shi)驗(yan)(yan)后在規定(ding)的(de)時(shi)間內完成終點(dian)測試(shi)(shi)。

  • 2、溫度循環試驗

試驗(yan)目(mu)的:考核產(chan)品(pin)承(cheng)受(shou)一定溫(wen)度變化速率的能(neng)力(li)及對(dui)極端(duan)高溫(wen)和(he)極端(duan)低溫(wen)環境(jing)的承(cheng)受(shou)能(neng)力(li).是針對(dui)產(chan)品(pin)熱機(ji)械(xie)性(xing)能(neng)設置的。當構成(cheng)產(chan)品(pin)各(ge)部(bu)件的材料熱匹(pi)配較(jiao)差(cha),或部(bu)件內應(ying)力(li)較(jiao)大(da)時,溫(wen)度循環試驗(yan)可引(yin)發(fa)產(chan)品(pin)由機(ji)械(xie)結構缺陷劣化產(chan)生的失效。如漏氣、內引(yin)線斷裂(lie)、芯片裂(lie)紋等。

 

驗(yan)(yan)條件:在(zai)氣體環境下(xia)進行。主(zhu)要是(shi)控制產品處于高(gao)溫(wen)和(he)低溫(wen)時(shi)的溫(wen)度和(he)時(shi)間及(ji)高(gao)低溫(wen)狀態轉(zhuan)換的速率。試(shi)(shi)驗(yan)(yan)箱內氣體的流通情(qing)況、溫(wen)度傳(chuan)感器的位置、夾(jia)具的熱容量(liang)都是(shi)保(bao)證試(shi)(shi)驗(yan)(yan)條件的重要因素(su)。

其控制(zhi)原則是試驗(yan)所要求的溫(wen)度、時間(jian)和轉換(huan)速率都是指被(bei)試產品,不(bu)(bu)是試驗(yan)的局部環境。微(wei)電(dian)路的轉換(huan)時間(jian)要求不(bu)(bu)大于1min在高溫(wen)或低(di)溫(wen)狀(zhuang)態(tai)下的保持時間(jian)要求不(bu)(bu)小(xiao)于10min;低(di)溫(wen)為(wei)-55℃或-65-10℃,高溫(wen)從85+10℃到(dao)300+10℃不(bu)(bu)等。

  • 3、熱沖擊試驗

試(shi)驗(yan)目(mu)的:考核(he)產品承(cheng)受溫(wen)(wen)度劇(ju)烈變化(hua),即(ji)承(cheng)受大(da)溫(wen)(wen)度變化(hua)速率的能力(li)。試(shi)驗(yan)可(ke)引發(fa)產品由機械結構缺陷劣化(hua)產生的失效.熱沖(chong)(chong)擊試(shi)驗(yan)與(yu)溫(wen)(wen)度循環試(shi)驗(yan)的目(mu)的基本一致,但熱沖(chong)(chong)擊試(shi)驗(yan)的條(tiao)件比溫(wen)(wen)度循環試(shi)驗(yan)要嚴酷(ku)得多。

 

試(shi)(shi)驗條件(jian):被試(shi)(shi)樣品(pin)是置于液(ye)體中。主要是控(kong)制(zhi)樣品(pin)處于高溫(wen)(wen)和低溫(wen)(wen)狀態的(de)溫(wen)(wen)度(du)和時(shi)間及(ji)高低溫(wen)(wen)狀態轉換的(de)速率。試(shi)(shi)驗箱內液(ye)體的(de)流通情(qing)況、溫(wen)(wen)度(du)傳感器的(de)位置、夾具的(de)熱容量都是保證試(shi)(shi)驗條件(jian)的(de)重要因(yin)素(su)。

其控制(zhi)原則(ze)與溫度循環試(shi)驗(yan)(yan)一樣,試(shi)驗(yan)(yan)所要求的(de)(de)(de)溫度、時(shi)間(jian)和(he)轉換速率都是指被試(shi)樣品,不(bu)是試(shi)驗(yan)(yan)的(de)(de)(de)局部(bu)環境(jing)。微電(dian)路(lu)的(de)(de)(de)轉換時(shi)間(jian)要求不(bu)大于lo,:轉換時(shi)被試(shi)樣品要在5 min內達到規定的(de)(de)(de)溫度;在高(gao)溫或低溫狀態下的(de)(de)(de)停留時(shi)間(jian)要求不(bu)小于2 min;高(gao)低溫條件分(fen)為三檔(dang)(dang),A檔(dang)(dang)為0+2-10℃~100+10-2℃,B檔(dang)(dang)為一55”llc~125+10℃,c檔(dang)(dang)為-655,0℃一150+10℃.A檔(dang)(dang)一般用(yong)水(shui)作載體,B檔(dang)(dang)和(he)C檔(dang)(dang)用(yong)過碳(tan)氟化合物作載體。作載體的(de)(de)(de)物質不(bu)得含有氯和(he)氫等腐蝕性物質或強氧化劑(ji)物質。

  • 4、低氣壓試驗

試驗目的:考核產品對低氣(qi)(qi)壓工(gong)作環(huan)境(jing)(如(ru)高空工(gong)作環(huan)境(jing))的適(shi)應能(neng)(neng)力。當(dang)氣(qi)(qi)壓減小時空氣(qi)(qi)或絕(jue)緣材(cai)料(liao)的絕(jue)緣強(qiang)度會減弱;易產生(sheng)電暈放(fang)電、介質損耗增加、電離;氣(qi)(qi)壓減小使散熱(re)條件(jian)變(bian)差(cha),會使元(yuan)器件(jian)溫度上(shang)升。這些因素都會使被試樣品在(zai)低氣(qi)(qi)壓條件(jian)下喪失規定的功能(neng)(neng),有時會產生(sheng)永久(jiu)性損傷(shang)。

 

試(shi)驗(yan)條件:被試(shi)樣品(pin)置于密(mi)封室(shi)內,加規定(ding)的(de)的(de)電(dian)(dian)壓(ya),從密(mi)封室(shi)降(jiang)低(di)氣壓(ya)前20min直(zhi)至試(shi)驗(yan)結束的(de)一段(duan)時間內,要求(qiu)樣品(pin)溫度(du)保(bao)持在(zai)25+-1.0℃的(de)范圍。密(mi)封室(shi)從常(chang)壓(ya)降(jiang)低(di)到(dao)規定(ding)的(de)氣壓(ya)再恢復(fu)到(dao)常(chang)壓(ya),并(bing)監視(shi)這‘過程中被試(shi)樣品(pin)能否正常(chang)工作,微電(dian)(dian)路被試(shi)樣品(pin)所施(shi)加電(dian)(dian)壓(ya)的(de)頻率(lv)在(zai)直(zhi)流到(dao)20MHz的(de)范圍內,電(dian)(dian)壓(ya)引出端出現電(dian)(dian)暈放電(dian)(dian)被視(shi)為失效。試(shi)驗(yan)的(de)低(di)氣壓(ya)值是(shi)與(yu)海拔高(gao)度(du)相對應(ying)(ying)的(de),并(bing)分若干檔.如微電(dian)(dian)路低(di)氣壓(ya)試(shi)驗(yan)的(de)A檔氣壓(ya)值是(shi)58kPa,對應(ying)(ying)高(gao)度(du)是(shi)4572m,E檔氣壓(ya)值是(shi)1.1kPa,對應(ying)(ying)高(gao)度(du)是(shi)30480m等等。

  • 5、耐濕試驗

試(shi)驗(yan)(yan)目的(de)(de)(de)(de):以施加(jia)加(jia)速應力(li)的(de)(de)(de)(de)方法(fa)評(ping)定微(wei)電(dian)(dian)路在(zai)潮(chao)(chao)濕和(he)炎熱(re)條件下抗(kang)衰變(bian)(bian)的(de)(de)(de)(de)能力(li),是針對(dui)典型的(de)(de)(de)(de)熱(re)帶氣候環境設計(ji)的(de)(de)(de)(de)。微(wei)電(dian)(dian)路在(zai)潮(chao)(chao)濕和(he)炎熱(re)條件下衰變(bian)(bian)的(de)(de)(de)(de)主要機理(li)是由化學過程(cheng)產生的(de)(de)(de)(de)腐(fu)蝕和(he)由水汽的(de)(de)(de)(de)浸入、凝露、結冰(bing)引起微(wei)裂(lie)縫增大的(de)(de)(de)(de)物理(li)過程(cheng)。試(shi)驗(yan)(yan)也考核在(zai)潮(chao)(chao)濕和(he)炎熱(re)條件下構成微(wei)電(dian)(dian)路材料(liao)發(fa)生或加(jia)劇電(dian)(dian)解(jie)的(de)(de)(de)(de)可能性,電(dian)(dian)解(jie)會使絕(jue)緣材料(liao)電(dian)(dian)阻宰發(fa)生變(bian)(bian)化,使抗(kang)介質擊穿的(de)(de)(de)(de)能力(li)變(bian)(bian)弱。

 

試(shi)(shi)(shi)驗(yan)條件:潮(chao)(chao)熱(re)試(shi)(shi)(shi)驗(yan)有兩種(zhong),即文變潮(chao)(chao)熱(re)試(shi)(shi)(shi)驗(yan)和恒(heng)定潮(chao)(chao)熱(re)試(shi)(shi)(shi)驗(yan)。交受(shou)潮(chao)(chao)熱(re)試(shi)(shi)(shi)驗(yan)要求(qiu)被試(shi)(shi)(shi)樣(yang)品在相對濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)為90%~100%的(de)(de)(de)(de)范圍(wei)內,用一定的(de)(de)(de)(de)時(shi)間(jian)(‘般(ban)2.5h)使(shi)溫(wen)(wen)度(du)(du)從25℃上(shang)升到(dao)65℃,井保持3h以上(shang);然后再(zai)(zai)在相對濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)為80%一100%的(de)(de)(de)(de)范圍(wei)內,用一定的(de)(de)(de)(de)時(shi)間(jian)(—般(ban)2.5 h)使(shi)溫(wen)(wen)度(du)(du)從6s℃下降到(dao)25℃,再(zai)(zai)進行一次這樣(yang)的(de)(de)(de)(de)循環后再(zai)(zai)在任意濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)情況下將(jiang)溫(wen)(wen)度(du)(du)下降到(dao)一10 c,并保持3h以上(shang)‘再(zai)(zai)恢復到(dao)溫(wen)(wen)度(du)(du)為25℃,相對濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)等于(yu)或大(da)于(yu)80%的(de)(de)(de)(de)狀(zhuang)態。這就完成了一次文變潮(chao)(chao)熱(re)的(de)(de)(de)(de)大(da)循環,大(da)約需要24h。

一(yi)般一(yi)次(ci)耐(nai)濕(shi)試(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan),上(shang)述交變潮熱的(de)大循環要進行10次(ci).試(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)時被(bei)試(shi)(shi)(shi)(shi)樣品要施加—定的(de)電壓。試(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)箱內每分鐘的(de)換(huan)氣量要求大于(yu)試(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)箱容積的(de)5倍。被(bei)試(shi)(shi)(shi)(shi)樣品應(ying)該是經(jing)受過非破壞(huai)性引線(xian)牢固性試(shi)(shi)(shi)(shi)驗(yan)(yan)的(de)樣品。

  • 6、鹽霧試驗

試驗目的(de):以加速的(de)方法評定(ding)元(yuan)器(qi)件(jian)外(wai)露部(bu)分(fen)在(zai)鹽霧、潮濕和炎熱條(tiao)件(jian)下抗腐蝕(shi)的(de)能(neng)力,是針對熱帶海邊(bian)或海上(shang)氣候環境設計的(de).表(biao)面(mian)結構(gou)狀態(tai)差的(de)元(yuan)器(qi)件(jian)在(zai)鹽霧、湘(xiang)濕和炎熱條(tiao)件(jian)下外(wai)露部(bu)分(fen)會產生腐蝕(shi)。

 

試驗(yan)(yan)條件:鹽霧(wu)試驗(yan)(yan)要(yao)求(qiu)被試樣(yang)品(pin)上不同(tong)(tong)方位的(de)(de)外露部分都要(yao)在溫度、濕度及(ji)接(jie)收的(de)(de)鹽淀積速率等方面(mian)處于相同(tong)(tong)的(de)(de)規定條件。這(zhe)一要(yao)求(qiu)是通過樣(yang)品(pin)在試驗(yan)(yan)箱內放置的(de)(de)相互間的(de)(de)最(zui)小距離和樣(yang)品(pin)的(de)(de)放置角度來滿足(zu)的(de)(de)。

試(shi)驗溫(wen)度一般要求為(wei)(35+-3)'C、在(zai)24h內(nei)鹽淀積(ji)(ji)速率(lv)為(wei)2X104mg/m2~5X104mg/m2。鹽淀積(ji)(ji)速率(lv)和濕度是通(tong)過產生(sheng)鹽霧的鹽溶液的溫(wen)度、濃度及流經它的氣(qi)(qi)流決定的,氣(qi)(qi)流中氧氣(qi)(qi)和氮氣(qi)(qi)比份要與空氣(qi)(qi)相同(tong)。試(shi)驗時間一般分為(wei)24h、48h、96h和240h 4檔。

  • 7、輻照試驗

試驗目(mu)的:考核微(wei)電路在高(gao)能粒子(zi)輻照(zhao)環境下的工(gong)作能力(li)。高(gao)能粒子(zi)進入微(wei)電路會(hui)使微(wei)觀結構發生變化產(chan)生缺陷或(huo)產(chan)生附加電荷或(huo)電流(liu)(liu)。從而導致(zhi)微(wei)電路參數退化、發生鎖定、電路翻轉或(huo)產(chan)生浪(lang)涌電流(liu)(liu)引起燒毀失(shi)效。輻照(zhao)超過(guo)某(mou)一界限會(hui)使微(wei)電路產(chan)生永久性損傷。

 

試(shi)驗(yan)條件:微(wei)電(dian)(dian)路(lu)的(de)輻(fu)(fu)照試(shi)驗(yan)主(zhu)要有中子輻(fu)(fu)照和γ射線(xian)輻(fu)(fu)照兩大類。又分總劑量(liang)(liang)輻(fu)(fu)照試(shi)驗(yan)和劑量(liang)(liang)率輻(fu)(fu)照試(shi)驗(yan)。劑量(liang)(liang)率輻(fu)(fu)照試(shi)驗(yan)都是以脈沖(chong)的(de)形式對(dui)披試(shi)微(wei)電(dian)(dian)路(lu)進行輻(fu)(fu)照的(de)。

在試(shi)驗中要(yao)依據不同的微(wei)電(dian)路和(he)不同的試(shi)驗目的嚴格控制(zhi)輻照的劑量(liang)串(chuan)和(he)總劑量(liang)。否則會(hui)由于輻照超過界限(xian)而(er)損(sun)壞樣品或得(de)不到要(yao)尋求的閩(min)值(zhi)。輻照試(shi)驗要(yao)有防止(zhi)人(ren)體損(sun)傷的安全(quan)措施。

)、壽(shou)命試驗(yan)

是研(yan)究(jiu)產品壽命特征(zheng)的方(fang)法,這種(zhong)方(fang)法可在實(shi)驗(yan)室(shi)模擬(ni)各種(zhong)使用(yong)條(tiao)件(jian)來進(jin)行。壽命試驗(yan)是可靠(kao)性試驗(yan)中最重要最基本(ben)的項目之一,它是將產品放在特定(ding)的試驗(yan)條(tiao)件(jian)下考察其(qi)失(shi)效(xiao)(損壞)隨時間(jian)變化規律。

 

通過壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)驗,可以了解產品的壽(shou)命(ming)(ming)特(te)征、失(shi)(shi)效(xiao)規律(lv)、失(shi)(shi)效(xiao)率(lv)、平均壽(shou)命(ming)(ming)以及(ji)在壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)驗過程中可能出現的各種失(shi)(shi)效(xiao)模式(shi)。如結合失(shi)(shi)效(xiao)分析(xi),可進一步(bu)弄清導致產品失(shi)(shi)效(xiao)的主要(yao)失(shi)(shi)效(xiao)機(ji)理,作為可靠(kao)性設計、可靠(kao)性預測、改(gai)進新產品質量和確定合理的篩選(xuan)、例行(批量保證)試(shi)驗條件等的依據。

如果為了縮(suo)短試(shi)驗(yan)時間(jian)可(ke)在不改變失效機理的條件下用加(jia)大應(ying)力的方法進(jin)行(xing)試(shi)驗(yan),這就是加(jia)速壽命(ming)試(shi)驗(yan)。通過壽命(ming)試(shi)驗(yan)可(ke)以對產品的可(ke)靠(kao)性水(shui)平進(jin)行(xing)評價,并通過質量反饋來提高新產品可(ke)靠(kao)性水(shui)平。

 

壽命試驗目的:考核產品在(zai)規定(ding)的條(tiao)件(jian)下,在(zai)全過(guo)程工作時間內(nei)的質量和可靠性。為了使試驗結(jie)果有(you)較(jiao)好(hao)代表性,參試的樣品要有(you)足(zu)夠的數量。

試(shi)(shi)驗條件:微電路的壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)(shi)驗分穩態壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)(shi)驗、間(jian)歇壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)(shi)驗和(he)模(mo)擬(ni)壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)(shi)驗。

穩態(tai)壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)驗(yan)是(shi)微(wei)電(dian)路必須(xu)進行的試(shi)驗(yan),試(shi)驗(yan)時要求被試(shi)樣品要施加適(shi)當的電(dian)源,使其處(chu)于正常的工作狀態(tai)。國(guo)家軍用(yong)標準的穩態(tai)壽(shou)命(ming)(ming)試(shi)驗(yan)環境溫度為(wei)(wei)125℃,時間為(wei)(wei)l 000h。加速試(shi)驗(yan)可以提高溫度,縮短(duan)時間。

功率型微(wei)電(dian)路(lu)管殼(ke)(ke)的溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)一般(ban)(ban)大于環(huan)境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du),試驗時保持環(huan)境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)可以低于125℃.微(wei)電(dian)路(lu)穩(wen)態壽命試驗的環(huan)境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)或(huo)管殼(ke)(ke)的溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)(du)要(yao)以微(wei)電(dian)路(lu)結(jie)溫(wen)(wen)(wen)等于額定結(jie)溫(wen)(wen)(wen)為(wei)基(ji)點<一般(ban)(ban)在(zai)175℃一200℃之間)進(jin)行調整。

間歇(xie)壽命試(shi)(shi)驗(yan)要(yao)求以一定的頻率對(dui)被試(shi)(shi)微(wei)(wei)電路(lu)切斷或突(tu)然施加(jia)偏壓和信號,其(qi)它試(shi)(shi)驗(yan)條(tiao)件(jian)與穩(wen)態壽命試(shi)(shi)驗(yan)相同。

模擬(ni)壽命試(shi)驗是一種模擬(ni)徽電路應(ying)(ying)用環境的(de)(de)組合試(shi)驗。它(ta)的(de)(de)組合應(ying)(ying)力有(you)機械、濕度和低氣壓四應(ying)(ying)力試(shi)驗:機械、溫度、濕度和電四應(ying)(ying)力試(shi)驗等。

 

三(san))、篩(shai)選(xuan)試驗

篩選試驗是(shi)一種對(dui)產(chan)品進(jin)行全(quan)數檢驗的非破壞性試驗

其目的(de)是為選擇具(ju)有一定特(te)性(xing)的(de)產(chan)品(pin)(pin)或剔(ti)早期失(shi)效的(de)產(chan)品(pin)(pin),以(yi)提高產(chan)品(pin)(pin)的(de)使(shi)用(yong)可靠(kao)性(xing)。產(chan)品(pin)(pin)在制造過程中,由于(yu)材料(liao)的(de)缺陷(xian),或由于(yu)工藝失(shi)控,使(shi)部分(fen)產(chan)品(pin)(pin)出現所(suo)謂早期缺陷(xian)或故障,這些缺陷(xian)或故障若能及早剔(ti)除,就可以(yi)保證在實際使(shi)用(yong)時產(chan)品(pin)(pin)的(de)可靠(kao)性(xing)水(shui)平。

  • 可靠性篩選試驗的特點是:

1、這種試(shi)驗不是(shi)抽樣的,而是(shi)100%試(shi)驗;

2、 該試驗可(ke)以提(ti)高(gao)合格品(pin)(pin)的總(zong)的可(ke)靠性水平,但不(bu)能提(ti)高(gao)產品(pin)(pin)的固有可(ke)靠性,即不(bu)能提(ti)高(gao)每個(ge)產品(pin)(pin)的壽命;

3、不能簡單地以篩(shai)選淘(tao)汰率(lv)的高(gao)低(di)來評價篩(shai)選效果(guo)。淘(tao)汰率(lv)高(gao),有可(ke)能是(shi)產(chan)品本身的設計、元件、工藝等方(fang)面存在嚴(yan)重缺陷,但(dan)也(ye)有可(ke)能是(shi)篩(shai)選應力強度太高(gao)。

淘(tao)汰率(lv)低(di),有(you)可能(neng)產品缺陷少,但(dan)也可能(neng)是篩(shai)選(xuan)(xuan)應力的強度和(he)試驗(yan)時(shi)間不足(zu)造成的。通常(chang)以篩(shai)選(xuan)(xuan)淘(tao)汰率(lv)Q和(he)篩(shai)選(xuan)(xuan)效果β值(zhi)來(lai)評價篩(shai)選(xuan)(xuan)方(fang)法(fa)的優劣(lie):合理(li)的篩(shai)選(xuan)(xuan)方(fang)法(fa)應該(gai)是β值(zhi)較大,而Q值(zhi)適中。

)、現(xian)場(chang)使用(yong)試驗

上述各種試(shi)(shi)驗(yan)都是通(tong)過模擬(ni)現場條件來進行的(de)。模擬(ni)試(shi)(shi)驗(yan)由于受設備條件的(de)限制,往往只能(neng)對產品施(shi)加(jia)單(dan)一應力,有時也可以施(shi)加(jia)雙應力,這與實際使(shi)用(yong)環境(jing)條件有很(hen)大差異,因(yin)而未(wei)能(neng)如(ru)實地、全面地暴露產品的(de)質量情(qing)況。

現場使(shi)用試(shi)驗(yan)則不同,因為它是在使(shi)用現場進行(xing),故最能真實地反映產品(pin)的(de)(de)(de)可(ke)靠性(xing)(xing)問題,所獲(huo)得的(de)(de)(de)數(shu)據對于產品(pin)的(de)(de)(de)可(ke)靠性(xing)(xing)預測、設計和(he)保(bao)證(zheng)(zheng)有很(hen)高價(jia)值。對制定可(ke)靠性(xing)(xing)試(shi)驗(yan)計劃、驗(yan)證(zheng)(zheng)可(ke)靠性(xing)(xing)試(shi)驗(yan)方法和(he)評價(jia)試(shi)驗(yan)精確性(xing)(xing),現場使(shi)用試(shi)驗(yan)的(de)(de)(de)作用則更大。

)、鑒定(ding)試驗

鑒定試(shi)(shi)驗(yan)是對(dui)產(chan)品的可靠性(xing)水(shui)平進行評價時而做的試(shi)(shi)驗(yan)。它是根據抽樣理論制定出來(lai)的抽樣方案(an)。在保證生產(chan)者不致(zhi)使質量符合標準的產(chan)品被拒收的條件下進行鑒定試(shi)(shi)驗(yan)。

 

可(ke)(ke)靠(kao)性鑒定試驗分兩類:一類為(wei)產(chan)品可(ke)(ke)靠(kao)性鑒定試驗,一類為(wei)工(gong)藝(含(han)材(cai)料)的可(ke)(ke)靠(kao)性鑒定試驗。

 

產(chan)品(pin)(pin)(pin)可(ke)靠性鑒定(ding)試(shi)(shi)驗(yan)一(yi)(yi)般(ban)是(shi)(shi)在新(xin)產(chan)品(pin)(pin)(pin)設(she)計定(ding)型(xing)和生產(chan)定(ding)型(xing)時進行(xing)。目的(de)(de)是(shi)(shi)考核(he)產(chan)品(pin)(pin)(pin)的(de)(de)指標是(shi)(shi)否(fou)全面達到(dao)了設(she)計要(yao)求,考核(he)產(chan)品(pin)(pin)(pin)是(shi)(shi)否(fou)達到(dao)了預定(ding)的(de)(de)可(ke)靠性要(yao)求。試(shi)(shi)驗(yan)的(de)(de)內容一(yi)(yi)般(ban)與質量一(yi)(yi)致(zhi)性檢(jian)驗(yan)一(yi)(yi)致(zhi),既A、B、c、D四組試(shi)(shi)驗(yan)都做,有抗輻射強度規(gui)定(ding)產(chan)品(pin)(pin)(pin)也做要(yao)E組試(shi)(shi)驗(yan)。當(dang)產(chan)品(pin)(pin)(pin)的(de)(de)設(she)計、結構、材(cai)料或工藝有重大改變時也要(yao)做可(ke)靠性鑒定(ding)試(shi)(shi)驗(yan)。

工藝(含材料)的可靠性鑒定試驗用于考核生產線對材料和工藝的選擇及控制能力是否能保證所制造的產品的質量和可靠性,是否能滿足某種質景保證等級的要求。

其他常用(yong)的電子產品可靠性試驗介(jie)紹

  • 恒定加速度試驗

該試驗目的(de)是(shi)考(kao)核傲電(dian)路(lu)承受恒定加速度(du)的(de)能(neng)力。它可以暴露由(you)微電(dian)路(lu)結構強度(du)低和機械缺陷引(yin)起的(de)失效(xiao)。如芯片脫落、內引(yin)線開路(lu)、管殼變形、漏氣等(deng)。

試(shi)驗(yan)條件:在(zai)(zai)微(wei)電路芯片脫出方向、壓緊方向和與(yu)該方向垂直的(de)(de)方向施加(jia)(jia)(jia)大于1 mm的(de)(de)恒定加(jia)(jia)(jia)速度,加(jia)(jia)(jia)速度取值(zhi)范圍一般(ban)取為49 000m/s:-1 225 000m/sV5 000~125 000z)之間。試(shi)驗(yan)時微(wei)電路的(de)(de)殼體應剛(gang)性固定在(zai)(zai)恒定加(jia)(jia)(jia)速器上(shang)。

  • 機械沖擊試驗

該試(shi)驗目(mu)的是考核(he)微(wei)電(dian)路(lu)承(cheng)受(shou)(shou)機(ji)械(xie)沖(chong)擊的能力(li)。即考核(he)微(wei)電(dian)路(lu)承(cheng)受(shou)(shou)突(tu)(tu)(tu)然(ran)受(shou)(shou)力(li)的能力(li)。在裝卸(xie)、運(yun)輸、現場(chang)工作(zuo)過程中會使(shi)微(wei)電(dian)路(lu)突(tu)(tu)(tu)然(ran)受(shou)(shou)力(li)。如跌落、碰撞時微(wei)電(dian)路(lu)會受(shou)(shou)到突(tu)(tu)(tu)發的機(ji)械(xie)應(ying)力(li).這些應(ying)力(li)可能引(yin)起微(wei)電(dian)路(lu)的芯片脫落、內引(yin)線開路(lu)、管殼變(bian)形、漏氣等失(shi)效(xiao)。

 

試驗條件:試驗時微電路(lu)(lu)的殼體應(ying)剛性固(gu)定在試驗臺基上,外引線(xian)要施(shi)加(jia)保護。對微電路(lu)(lu)的芯片脫(tuo)出方向(xiang)、壓緊方向(xiang)和與該方向(xiang)垂直的方向(xiang)各施(shi)加(jia)五次半正(zheng)弦波(bo)的機械(xie)沖(chong)擊脈沖(chong)。沖(chong)擊脈沖(chong)的峰值(zhi)加(jia)速度(du)取值(zhi)范(fan)圍—般取為(wei)4900m/s2~294 000m/s2(500g~30 000g)脈沖(chong)持續(xu)時間為(wei)0.1ms—1.0ms,允許失真不(bu)大(da)于峰值(zhi)加(jia)速度(du)的20%。

  • 機械振動試驗

振(zhen)動(dong)試驗(yan)(yan)主要(yao)有四種,即掃(sao)頻(pin)振(zhen)動(dong)試驗(yan)(yan)、振(zhen)動(dong)疲勞試驗(yan)(yan)。振(zhen)動(dong)噪聲試驗(yan)(yan)和(he)隨(sui)機振(zhen)動(dong)試驗(yan)(yan)。目的(de)是(shi)考核微電路在不同振(zhen)動(dong)條件下的(de)結構牢固性和(he)電特性的(de)穩(wen)定性。

掃頻振動試驗使微(wei)電路作等幅諧振動,其加速度峰值一般分為196 m/s:(20e)、490m/s2(50g)和(he)686m/s2(70g)三檔.振動頻率(lv)從20Hz一2 000Hz范圍內隨時(shi)間(jian)校對數變化。振動頻率(lv)從20Hz~2 000Hz再回到20Hz的時(shi)間(jian)要求不小于4mm,并且在互相垂直的三個(ge)方(fang)向(xiang)上(其中一個(ge)方(fang)向(xiang)與芯(xin)片垂直)各進(jin)行(xing)五次(ci)。

振動疲勞試(shi)驗也要使(shi)微電(dian)路作等(deng)幅(fu)諧振動,但(dan)是其振動頻率是固定的,一(yi)般(ban)為幾十到幾百(bai)赫茲,其加(jia)速度峰(feng)值(zhi)一(yi)般(ban)也分為196m/s2(20g)、490m/s2(50g)和686m/s2(70g)三檔。在互(hu)相垂(chui)直(zhi)的三個方向(xiang)上(其中一(yi)個方向(xiang)與芯片垂(chui)直(zhi))各進行(xing)一(yi)次(ci),每(mei)次(ci)的時間(jian)大約為32h。

 

隨(sui)機振(zhen)動試驗(yan)的(de)試驗(yan)條件(jian)是模擬各(ge)種現代化現場環(huan)境(jing)下可能產生的(de)振(zhen)動。隨(sui)機振(zhen)動的(de)振(zhen)幅具有高(gao)斯(si)分布。加速度(du)譜密度(du)與頻率(lv)的(de)關系(xi)是特(te)定的(de)。頻率(lv)范圍(wei)為幾十到2000Hz。

振動(dong)(dong)(dong)噪聲試(shi)驗的(de)試(shi)驗條件與(yu)掃頗振動(dong)(dong)(dong)試(shi)驗基本相(xiang)同(tong)。使微電路作等幅諧振動(dong)(dong)(dong),其加速(su)度峰值一般不小于196m/s2(20g).振動(dong)(dong)(dong)頻率從(cong)20Hs一2000Hz范圍內隨時(shi)間按對數變化.振動(dong)(dong)(dong)頻率從(cong)20Hz一2000Hz再回到20Hz的(de)時(shi)間要求不小于4min,并且在互相(xiang)垂(chui)直的(de)三個方(fang)向(xiang)上(其中一個方(fang)向(xiang)與(yu)芯片垂(chui)直)各進行1次。

但是(shi)微(wei)電(dian)路要施加規(gui)(gui)定(ding)的電(dian)壓(ya)和電(dian)流。測(ce)量在試驗(yan)過(guo)程中在規(gui)(gui)定(ding)負(fu)載電(dian)阻(zu)上(shang)的最大(da)噪(zao)聲輸出電(dian)壓(ya)是(shi)否超出了(le)規(gui)(gui)定(ding)值(zhi)。

  • 鍵合強度試驗

該試(shi)驗目的是檢驗微電(dian)路封(feng)裝內(nei)部的內(nei)引(yin)線(xian)與(yu)(yu)芯片和(he)內(nei)引(yin)線(xian)與(yu)(yu)封(feng)裝體內(nei)外引(yin)線(xian)端鍵合強(qiang)度.分為破(po)(po)壞(huai)性鍵合強(qiang)度試(shi)驗和(he)非破(po)(po)壞(huai)性鍵合強(qiang)度試(shi)驗.鍵合強(qiang)度差(cha)的微電(dian)路會出(chu)現內(nei)引(yin)線(xian)開路失效。

試驗(yan)(yan)要(yao)求在鍵(jian)(jian)合(he)線中部(bu)對鍵(jian)(jian)合(he)線施(shi)加(jia)垂(chui)直(zhi)微(wei)電路;芯片方向(xiang)指向(xiang)芯片反方向(xiang)的(de)力(li),施(shi)力(li)要(yao)從零開始緩慢增加(jia),避免(mian)沖擊(ji)力(li)。若設定(ding)一(yi)個(ge)力(li),當施(shi)力(li)增加(jia)到該力(li)時停止餡力(li),且此力(li)應(ying)不(bu)大于(yu)最小鍵(jian)(jian)合(he)力(li)規定(ding)值的(de)80%,則試驗(yan)(yan)稱為非破壞性鍵(jian)(jian)合(he)強度(du)試驗(yan)(yan)。

若(ruo)試(shi)(shi)驗時施(shi)力增加到鍵(jian)合斷裂時停止(zhi),稱破壞性(xing)健(jian)合強度(du)試(shi)(shi)驗。健(jian)合強度(du)試(shi)(shi)驗目(mu)(mu)的(de)是對微(wei)電(dian)路鍵(jian)合性(xing)能作(zuo)批(pi)次性(xing)評價,所(suo)以要有(you)足夠多(duo)的(de)試(shi)(shi)驗樣品.非破壞性(xing)鍵(jian)合強度(du)試(shi)(shi)驗有(you)時作(zuo)為篩選(xuan)試(shi)(shi)驗項目(mu)(mu)。

  • 芯片附著強度試驗

該(gai)試(shi)驗(yan)目(mu)的(de)是考(kao)核(he)芯片(pian)(pian)(pian)(pian)與(yu)管殼或(huo)基(ji)(ji)片(pian)(pian)(pian)(pian)結合(he)的(de)機械強(qiang)度。芯片(pian)(pian)(pian)(pian)附著(zhu)強(qiang)度試(shi)驗(yan)有(you)兩個,即芯片(pian)(pian)(pian)(pian)與(yu)基(ji)(ji)片(pian)(pian)(pian)(pian)/底(di)座(zuo)附著(zhu)強(qiang)度試(shi)驗(yan)和剪切力(li)試(shi)驗(yan).前者(zhe)是考(kao)核(he)芯片(pian)(pian)(pian)(pian)承(cheng)受(shou)垂(chui)直芯片(pian)(pian)(pian)(pian)脫寓基(ji)(ji)片(pian)(pian)(pian)(pian)/底(di)座(zuo)方(fang)向受(shou)力(li)的(de)能(neng)力(li)。后者(zhe)是考(kao)核(he)芯片(pian)(pian)(pian)(pian)承(cheng)受(shou)平(ping)行(xing)芯片(pian)(pian)(pian)(pian)與(yu)基(ji)(ji)片(pian)(pian)(pian)(pian)/底(di)座(zuo)結合(he)面(mian)方(fang)向受(shou)力(li)的(de)能(neng)力(li)。

試驗要(yao)求嚴格控制施加(jia)(jia)力(li)的(de)方向,且避(bi)免沖擊力(li)。該試驗的(de)判據力(li)與芯(xin)片面(mian)積(ji)成正比(bi),且與脫(tuo)落后界(jie)面(mian)附(fu)著(zhu)(zhu)痕(hen)(hen)跡面(mian)積(ji)與芯(xin)片面(mian)積(ji)的(de)比(bi)值有關.附(fu)著(zhu)(zhu)痕(hen)(hen)跡面(mian)積(ji)小,意味(wei)著(zhu)(zhu)結(jie)合性能差,判據力(li)要(yao)加(jia)(jia)嚴。

  • 粒子碰撞噪聲檢測試驗

粒(li)子碰撞噪聲檢測試(shi)驗(PIND:Particle Impact Noise Detection)的目的是(shi)檢驗微電路空(kong)腔封(feng)裝腔體內是(shi)否存(cun)在可動(dong)多余物。

可動(dong)導(dao)電(dian)多(duo)余(yu)物(wu)町能導(dao)致微(wei)(wei)電(dian)路(lu)(lu)內(nei)部短路(lu)(lu)失(shi)效。試(shi)驗原理是對微(wei)(wei)電(dian)路(lu)(lu)施加適當的機(ji)械沖(chong)擊(ji)應力(li)(li)使沾附(fu)微(wei)(wei)電(dian)路(lu)(lu)腔體內(nei)的多(duo)余(yu)物(wu)成為可動(dong)多(duo)余(yu)物(wu)。再同時施加振(zhen)動(dong)應力(li)(li),使可動(dong)多(duo)余(yu)物(wu)產生振(zhen)動(dong),振(zhen)動(dong)的多(duo)余(yu)物(wu)與腔體壁(bi)撞擊(ji)產生噪聲(sheng)。

通(tong)過換能(neng)器(qi)檢(jian)測噪聲。試驗(yan)要求將(jiang)微電(dian)路最(zui)大(da)的扁平面(mian)借助于(yu)(yu)粘附劑(ji)安裝在換能(neng)器(qi)上,先施以峰值(zhi)加速度為(9 800+-1 960)m/s2延續時間不大(da)于(yu)(yu)100μs沖擊脈沖。

然(ran)后再(zai)施(shi)以頻串為40Hz一250Hz,峰值加速度(du)為196m/s2振動(dong),隨(sui)后再(zai)使沖擊應力與(yu)振動(dong)應力同時施(shi)加和單(dan)獨(du)施(shi)加振動(dong)應力,交替進行(xing)一定(ding)次數(shu),若檢測出噪聲,則(ze)表(biao)示微(wei)電(dian)路腔(qiang)體內有(you)可動(dong)多(duo)余物(wu)。

有的(de)微電路(lu)內引線較(jiao)長。長引線的(de)顫動也可(ke)能(neng)檢(jian)測出噪聲(sheng),改變振動頻率,噪聲(sheng)有變化(hua)時(shi)其噪聲(sheng)往往是(shi)由長引線的(de)顫動產生的(de)。所(suo)用(yong)粘附劑應(ying)對其傳送的(de)機械能(neng)量有較(jiao)小的(de)衰減(jian)系數.沖擊脈沖的(de)峰值加(jia)速(su)度、延續時(shi)間和次數應(ying)嚴格控(kong)制,否則試(shi)驗(yan)可(ke)能(neng)是(shi)破壞性的(de)。

  • 靜電放電敏感度試驗

靜電(dian)(dian)放電(dian)(dian)敏感度試驗可以(yi)給出微(wei)電(dian)(dian)路承受靜電(dian)(dian)放電(dian)(dian)的(de)能力。它是破(po)壞性試驗。

試驗方法(fa)是模擬人體、設備或(huo)器件放電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流波形,按規定(ding)的(de)(de)(de)組合及(ji)順序(xu)對微電(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)(de)各引出(chu)(chu)端放電(dian)(dian)(dian)(dian)。尋找出(chu)(chu)傲(ao)電(dian)(dian)(dian)(dian)路產生損傷的(de)(de)(de)閥值(zhi)(zhi)靜電(dian)(dian)(dian)(dian)放電(dian)(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓。以微電(dian)(dian)(dian)(dian)路敏感電(dian)(dian)(dian)(dian)參數(shu)的(de)(de)(de)變化量超(chao)過規定(ding)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)最小靜電(dian)(dian)(dian)(dian)放電(dian)(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓,作為微電(dian)(dian)(dian)(dian)路抗靜電(dian)(dian)(dian)(dian)放電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)能力的(de)(de)(de)表征值(zhi)(zhi)。

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